Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

FDMC8010DC

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока37 A
Сопротивление в открытом состоянии1.28 mΩМакс. · 37A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)3W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerWDFN
Supplier Device Package8-PQFN (3.3x3.3)
Другое
Base Product NumberFDMC8010
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7080 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.28mOhm @ 37A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Документы