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FDME0106NZT

停产单 FET,MOSFET

MOSFET N-CH

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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流9 A
导通电阻18 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流9 A
导通电阻18 mΩ最大 · 9A
阈值电压1 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)700mW (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerUFDFN
Supplier Device PackageMicroFet 1.6x1.6 Thin
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds865 pF @ 10 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 4.5V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

技术资料

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