Поиск аналогов электронных компонентов
FDMS015N04B
onsemiСША

FDMS015N04B

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFN

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток40 V
Постоянный ток стока31.3 ~ 100 A
Сопротивление в открытом состоянии1.5 mΩМакс. · 50A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31.3A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 104W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PQFN (5x6)
Другое
Base Product NumberFDMS015
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8725 pF @ 20 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 50A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Изображения

Документы