Поиск аналогов электронных компонентов
FDMS039N08B
onsemiСША

FDMS039N08B

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток80 V
Постоянный ток стока19.4 ~ 100 A
Сопротивление в открытом состоянии3.9 mΩМакс. · 50A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19.4A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 104W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PQFN (5x6)
Другое
Base Product NumberFDMS039
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7600 pF @ 40 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9mOhm @ 50A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Изображения

Документы