Поиск аналогов электронных компонентов
FDMS5672
onsemiСША

FDMS5672

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока10.6 ~ 22 A
Сопротивление в открытом состоянии11.5 mΩМакс. · 10.6A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.6A (Ta), 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 78W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerWDFN
Supplier Device Package8-MLP (5x6), Power56
Другое
Base Product NumberFDMS56
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 30 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.5mOhm @ 10.6A, 10V
SeriesUltraFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Изображения

Документы