Поиск аналогов электронных компонентов
FDMS8018
onsemiСША

FDMS8018

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока30 ~ 120 A
Сопротивление в открытом состоянии1.8 mΩМакс. · 30A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta), 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 83W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PQFN (5x6)
Другое
Base Product NumberFDMS80
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5235 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 30A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Изображения

Документы