FDMS86183
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FDMS86183

在产单 FET,MOSFET

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流51 A
导通电阻12.8 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流51 A
导通电阻12.8 mΩ最大 · 16A
阈值电压4 V最大 · 90μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C51A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Power Dissipation (Max)63W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PQFN (5x6)
其他
Base Product NumberFDMS86
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1515 pF @ 50 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.8mOhm @ 16A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 90µA

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