Поиск аналогов электронных компонентов
FDP33N25
onsemiСША

FDP33N25

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-220-3

MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток250 V
Постоянный ток стока33 A
Сопротивление в открытом состоянии94 mΩМакс. · 16.5A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)235W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
Другое
Base Product NumberFDP33
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2135 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs94mOhm @ 16.5A, 10V
SeriesUniFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Изображения

Документы