Поиск аналогов электронных компонентов
FDP8D5N10C
onsemiСША

FDP8D5N10C

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-220-3

MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока76 A
Сопротивление в открытом состоянии8.5 mΩМакс. · 76A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 130μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)2.4W (Ta), 107W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
Другое
Base Product NumberFDP8D5
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2475 pF @ 50 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 76A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 130µA

Изображения

Документы