onsemiСША
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока3 A
Сопротивление в открытом состоянии128 mΩМакс. · 3A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 8-SO FLMP |
| Другое | |
| Base Product Number | FDS21 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1292 pF @ 100 V |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128mOhm @ 3A, 10V |
| Series | PowerTrench® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |