Поиск аналогов электронных компонентов
FDS3170N7

FDS3170N7

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETs8-SOIC

MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока6.7 A
Сопротивление в открытом состоянии26 mΩМакс. · 6.7A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Power Dissipation (Max)3W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageBulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO
Другое
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2714 pF @ 50 V
MfrFairchild Semiconductor
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 6.7A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.