Поиск аналогов электронных компонентов
FDS3580
onsemiСША

FDS3580

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs8-SOIC

MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток80 V
Постоянный ток стока7.6 A
Сопротивление в открытом состоянии29 mΩМакс. · 7.6A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
Другое
Base Product NumberFDS35
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1800 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 7.6A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Изображения

Документы