Поиск аналогов электронных компонентов
FDS4435A
onsemiСША

FDS4435A

Last Time BuySingle FETs, MOSFETs8-SOIC

MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока9 A
Сопротивление в открытом состоянии17 mΩМакс. · 9A
Пороговое напряжение2 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
Другое
Base Product NumberFDS44
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2010 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusLast Time Buy
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 9A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Изображения

Документы