FDS4770

FDS4770

停产单 FET,MOSFET8-SOIC

MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC

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沟道N 沟道
耐压40 V
连续漏极电流13.2 A
导通电阻7.5 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压40 V
连续漏极电流13.2 A
导通电阻7.5 mΩ最大 · 13.2A
阈值电压5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageBulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2819 pF @ 20 V
MfrFairchild Semiconductor
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 13.2A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

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