Поиск аналогов электронных компонентов
FDY102PZ
onsemiСША

FDY102PZ

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsSC-89

MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока830 mA
Сопротивление в открытом состоянии500 mΩМакс. · 830mA
Пороговое напряжение1 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C830mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)625mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseSC-89, SOT-490
Supplier Device PackageSC-89-3
Другое
Base Product NumberFDY102
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds135 pF @ 10 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 830mA, 4.5V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Изображения

Документы