Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

FDZ663P

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETs4-WLCSP

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока2.7 A
Сопротивление в открытом состоянии134 mΩМакс. · 2A
Пороговое напряжение1.2 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)1.3W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case4-XFBGA, WLCSP
Supplier Device Package4-WLCSP (0.8x0.8)
Другое
Base Product NumberFDZ66
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds525 pF @ 10 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs134mOhm @ 2A, 4.5V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.