onsemiСША
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение650 V
Средний выпрямленный ток8 A
Прямое падение напряжения1.75 VМакс. · 6 A
ТипSchottky
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 6 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Supplier Device Package | 4-PQFN (8x8) |
| Другое | |
| Base Product Number | FFSM0665 |
| Capacitance @ Vr, F | 365pF @ 1V, 100kHz |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |