onsemi美国

FPF2C110BI07AS2

在产IGBT 模块

IGBT MODULE 650V 40A 300W F2

查看国产替代问 AI FAE

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

电源
Current - Collector Cutoff (Max)250 µA
Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Power - Max300 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-40°C ~ 150°C
PackageTray
Package / Case30-DIP Module
Supplier Device PackageF2
其他
Base Product NumberFPF2C110
ConfigurationHalf Bridge
IGBT Type-
InputStandard
Mfronsemi
NTC ThermistorYes
Product StatusActive
Series-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 40A

技术资料

该型号暂未收录资料。