FQB12P10TM

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETsD²PAK

MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK

Все аналоги

Тип каналаP-channel

Напряжение сток-исток100 V

Постоянный ток стока11.5 A

Сопротивление в открытом состоянии290 mΩМакс. · 5.75A

Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	3.75W (Ta), 75W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Другое
Base Product Number	FQB1
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800 pF @ 25 V
Mfr	onsemi
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 5.75A, 10V
Series	QFET®
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

К этому компоненту пока не привязаны документы.