FQB4N80TM
onsemi美国

FQB4N80TM

在产单 FET,MOSFETD²PAK

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

查看国产替代问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流3.9 A
导通电阻3.6 Ω

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流3.9 A
导通电阻3.6 Ω最大 · 1.95A
阈值电压5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)3.13W (Ta), 130W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263)
其他
Base Product NumberFQB4N80
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds880 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6Ohm @ 1.95A, 10V
SeriesQFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

器件图片

技术资料

该型号暂未收录资料。