onsemiСША
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток250 V
Постоянный ток стока4 A
Сопротивление в открытом состоянии2.1 ΩМакс. · 2A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 75W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Другое | |
| Base Product Number | FQB4 |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 25 V |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 2A, 10V |
| Series | QFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |