Поиск аналогов электронных компонентов
FQD11P06TM
onsemiСША

FQD11P06TM

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsD-PAK

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

P-канальный MOSFET с обогащением, Vdss -60В, Id -9.4А, Rds(on) 185мОм, корпус D-PAK, для ИИП и управления двигателями.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток-60 V
Постоянный ток стока-9.4 ~ -5.95 A-9.4 A (TC=25°C),-5.95 A (TC=100°C)
Сопротивление в открытом состоянии185 mΩМакс. · VGS = -10 V,ID = -4.7 A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 18
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
КаналP-Channel
Напряжение сток-исток-60 V
Ток стока - постоянный-9.4 A (TC=25°C), -5.95 A (TC=100°C)
Сопротивление в открытом состоянии185 mΩ (Max.) @ VGS = -10 V, ID = -4.7 A
КорпусD-PAK
Диапазон рабочих и температур хранения-55 to +150 °C
Ток стока - импульсный-37.6 A
Напряжение затвор-исток±30 V
Энергия одиночного импульса лавины160 mJ
Ток лавины-9.4 A
Повторяющаяся энергия лавины3.8 mJ
Пиковое dv/dt восстановления диода-7.0 V/ns
Мощность рассеивания2.5 W (TA=25°C), 38 W (TC=25°C)
Коэффициент снижения мощности выше 25°C0.3 W/°C
Максимальная температура выводов для пайки300 °C (1/8 inch from case for 5 seconds)
Заряд затвора13 nC (Typ.)
Взаимная емкость45 pF (Typ.)
Тестирование на лавину100%
Все параметры (21)РазвернутьСвернуть
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 38W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252AA
Другое
Base Product NumberFQD11P06
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds550 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs185mOhm @ 4.7A, 10V
SeriesQFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Изображения

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.