Поиск аналогов электронных компонентов
FQD13N06LTM
onsemiСША

FQD13N06LTM

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-252AA

MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока11 A
Сопротивление в открытом состоянии115 mΩМакс. · 5.5A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 28W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252AA
Другое
Base Product NumberFQD13N06
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 5.5A, 10V
SeriesQFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.