FQD2N90TM

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-252AA

MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток900 V

Постоянный ток стока1.7 A

Сопротивление в открытом состоянии7.2 ΩМакс. · 850mA

Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package	TO-252AA
Другое
Base Product Number	FQD2N90
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	500 pF @ 25 V
Mfr	onsemi
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2Ohm @ 850mA, 10V
Series	QFET®
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

К этому компоненту пока не привязаны документы.