FQD5N60CTM
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FQD5N60CTM

在产单 FET,MOSFETTO-252AA

MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

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沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流2.8 A
导通电阻2.5 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流2.8 A
导通电阻2.5 Ω最大 · 1.4A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 49W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252AA
其他
Base Product NumberFQD5N60
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds670 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 1.4A, 10V
SeriesQFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

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