FQP7N80
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FQP7N80

停产单 FET,MOSFETTO-220-3

MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3

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沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流6.6 A
导通电阻1.5 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流6.6 A
导通电阻1.5 Ω最大 · 3.3A
阈值电压5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)167W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
其他
Base Product NumberFQP7
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1850 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 3.3A, 10V
SeriesQFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

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