Goford SemiconductorТайвань, Китай
MOSFET P-CH 20V 45A DFN3*3-8L
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Постоянный ток стока45 A
Сопротивление в открытом состоянии9.5 mΩМакс. · 10A
Пороговое напряжение1 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | 8-DFN (3.15x3.05) |
| Другое | |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | P-Channel |
| Mfr | Goford Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 4.5V |
| Series | TrenchFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |