GD25Q256EWIGR

在产存储器8-WSON

256MBIT, 3.3V, WSON8 6*5MM, INDU

类型Flash
容量256 Mbit
接口SPI
供电电压2.7 ~ 3.6 V

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技术参数

类型Flash
容量256 Mbit
接口SPI
供电电压2.7 ~ 3.6 V
时钟频率133 MHz最大
电源
Voltage - Supply2.7V ~ 3.6V
交流 / 直流特性
Clock Frequency133 MHz
环境与封装
Memory Size256Mbit
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package8-WSON (5x6)
其他
Access Time7 ns
Memory FormatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Memory Organization32M x 8
Memory TypeNon-Volatile
MfrGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Product StatusActive
Series-
TechnologyFLASH - NOR (SLC)
Write Cycle Time - Word, Page90µs, 2ms

技术资料