DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247-2
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1.2 kV
Средний выпрямленный ток55 A
Прямое падение напряжения1.8 VМакс. · 30 A
ТипSchottkyFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 55A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 1200 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 30 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | 1101pF @ 1V, 1MHz |
| Mfr | GeneSiC Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Series | SiC Schottky MPS™ |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |