MOSFET, N-CH, SINGLE, 160A, 100V
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока160 A
Сопротивление в открытом состоянии3.5 mΩМакс. · 20A
Пороговое напряжение3.5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 450 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26000 pF @ 25 V |
| Mfr | Good-Ark Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |