IXYSСША
DIODE MODULE GP 12000V 1.7A
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 1.7A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 µA @ 12000 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 12000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 12 V @ 2 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package | Box |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
| Другое | |
| Base Product Number | HTZ160 |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Mfr | IXYS |
| Product Status | Obsolete |
| Series | HTZ160C |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Technology | Standard |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.