Поиск аналогов электронных компонентов
IPB016N08NF2SATMA1
Infineon TechnologiesГермания

IPB016N08NF2SATMA1

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsPG-TO263-3

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток80 V
Постоянный ток стока170 A
Сопротивление в открытом состоянии1.65 mΩМакс. · 100A
Пороговое напряжение3.8 VМакс. · 267μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case-
Supplier Device PackagePG-TO263-3
Другое
Base Product NumberIPB016N
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12000 pF @ 40 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.65mOhm @ 100A, 10V
SeriesStrongIRFET™ 2
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 267µA

Изображения

Документы