Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока50 A
Сопротивление в открытом состоянии9.6 mΩМакс. · 50A
Пороговое напряжение2 VМакс. · 20μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Другое | |
| Base Product Number | IPB10N |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1639 pF @ 15 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 50A, 10V |
| Series | OptiMOS™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |