Поиск аналогов электронных компонентов
Infineon TechnologiesГермания

IPB60R080P7ATMA1

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsPG-TO263-3

MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока37 A
Сопротивление в открытом состоянии80 mΩМакс. · 11.8A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 590μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)129W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackagePG-TO263-3
Другое
Base Product NumberIPB60R080
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2180 pF @ 400 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 11.8A, 10V
SeriesCoolMOS™ P7
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 590µA

Документы