Infineon TechnologiesГермания
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток40 V
Постоянный ток стока72 A
Сопротивление в открытом состоянии9.1 mΩМакс. · 70A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 120μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 72A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Другое | |
| Base Product Number | IPB70P |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4810 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 70A, 10V |
| Series | OptiMOS™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 120µA |