Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока50 A
Сопротивление в открытом состоянии9 mΩМакс. · 50A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 34μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Grade | Automotive |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Другое | |
| Base Product Number | IPD50 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3785 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 50A, 10V |
| Series | OptiMOS™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |