Поиск аналогов электронных компонентов
IPD70P04P4L08ATMA2
Infineon TechnologiesГермания

IPD70P04P4L08ATMA2

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsPG-TO252-3-313

MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток40 V
Постоянный ток стока70 A
Сопротивление в открытом состоянии7.8 mΩМакс. · 70A
Пороговое напряжение2.2 VМакс. · 120μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)75W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackagePG-TO252-3-313
Другое
Base Product NumberIPD70
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5430 pF @ 25 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8mOhm @ 70A, 10V
SeriesOptiMOS®-P2
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+5V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 120µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.