IPF042N10NF2SATMA1

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在产单 FET,MOSFETPG-TO263-7

MOSFET

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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流21 ~ 139 A
导通电阻4.25 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流21 ~ 139 A
导通电阻4.25 mΩ最大 · 80A
阈值电压3.8 V最大 · 93μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 139A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Power Dissipation (Max)3.8W (Ta), 167W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case-
Supplier Device PackagePG-TO263-7
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4000 pF @ 50 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.25mOhm @ 80A, 10V
SeriesStrongIRFET™ 2
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 93µA

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