Infineon TechnologiesГермания
N-CHANNEL POWER MOSFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток75 V
Постоянный ток стока100 A
Сопротивление в открытом состоянии3.4 mΩМакс. · 100A
Пороговое напряжение3.8 VМакс. · 155μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8130 pF @ 37.5 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V |
| Series | OptiMOS™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 155µA |