Infineon TechnologiesГермания
N-CHANNEL POWER MOSFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток500 V
Постоянный ток стока12 A
Сопротивление в открытом состоянии299 mΩМакс. · 6.6A
Пороговое напряжение3.5 VМакс. · 440μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 100 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Series | CoolMOS™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |