Infineon TechnologiesГермания
MOSFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока35 ~ 315 A
Сопротивление в открытом состоянии1.5 mΩМакс. · 150A
Пороговое напряжение3.8 VМакс. · 267μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta), 315A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8 |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 242 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 50 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 150A, 10V |
| Series | StrongIRFET™ 2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 267µA |