Infineon TechnologiesГермания
DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1.2 kV
Средний выпрямленный ток200 A
Прямое падение напряжения2.7 VМакс. · 200 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7 V @ 200 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
| Другое | |
| Base Product Number | IRD3CH101 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 360 ns |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Technology | Standard |