IRF1902PBF

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETs8-SOIC

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток20 V

Постоянный ток стока4.2 A

Сопротивление в открытом состоянии85 mΩМакс. · 4A

Пороговое напряжение700 mVМакс. · 250μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package	8-SO
Другое
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	310 pF @ 15 V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 4A, 4.5V
Series	HEXFET®
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA

К этому компоненту пока не привязаны документы.