IRF3000

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETs8-SOIC

MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток300 V

Постоянный ток стока1.6 A

Сопротивление в открытом состоянии400 mΩМакс. · 960mA

Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package	8-SO
Другое
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	730 pF @ 25 V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 960mA, 10V
Series	HEXFET®
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

К этому компоненту пока не привязаны документы.