Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток40 V
Постоянный ток стока100 A
Сопротивление в открытом состоянии1.7 mΩМакс. · 100A
Пороговое напряжение3.7 VМакс. · 150μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Другое | |
| Base Product Number | IRF40H210 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5406 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Series | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 150µA |