IRF5803

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETsSOT-23-6 Thin

MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6

Все аналоги

Тип каналаP-channel

Напряжение сток-исток40 V

Постоянный ток стока3.4 A

Сопротивление в открытом состоянии112 mΩМакс. · 3.4A

Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tube
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package	Micro6™(TSOP-6)
Другое
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1110 pF @ 25 V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112mOhm @ 3.4A, 10V
Series	HEXFET®
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA