Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока13 ~ 55 A
Сопротивление в открытом состоянии9 mΩМакс. · 13A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric ST |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ ST |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2120 pF @ 15 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 13A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.