Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока32 ~ 150 A
Сопротивление в открытом состоянии2.6 mΩМакс. · 27A
Пороговое напряжение2.25 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3.9W (Ta), 89W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MX |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MX |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4860 pF @ 15 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 27A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |