Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N CH 25V 16A S1
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток25 V
Постоянный ток стока16 ~ 50 A
Сопротивление в открытом состоянии5.2 mΩМакс. · 16A
Пороговое напряжение2.1 VМакс. · 25μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric S1 |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1038 pF @ 13 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 16A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA |