Infineon TechnologiesГермания
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока5.4 A
Сопротивление в открытом состоянии60 mΩМакс. · 5.4A
Пороговое напряжение700 mVМакс. · 250μA (Min)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 15 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.